英国阿佩佐Apiezon N型低温真空油脂 阿皮松N型非硅低温真空脂

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    产地 英国 是否进口 类别 通用脂
    货号 N型 型号 N型 品牌 Apiezon
    锥入度 - 滴点 42-52 针入度 -(mm)
    稠化剂类型 其他 应用领域 空管线、冷阱、电子显微镜的光学接口、活塞、毛玻璃接头、低温阀门、Schlenk管线和液氦柔性管线的密 抗辐射性 不推荐

    英国阿佩佐(阿皮松)Apiezon N型低温真空油脂

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    产品名称:高温真空油脂

     

    规格型号:N型

     

    品牌厂家:英国阿佩佐(阿皮松)Apiezon

     

     

    英国阿佩佐(阿皮松)Apiezon N型低温真空油脂产品介绍:

     Apiezon N脂是一款被广泛认可并推荐的,在低温下能明显提高热传导且不会出现裂纹,常用于低温下的热传导、密封及固定。

     

    低温热传导:

     Apiezon N脂能显著提高制冷系统的热传导能力,其导热机制是Apiezon N脂可填充相邻表面的微孔,且低温下不会开裂或出现细纹,增大了总接触面积,提高了热传导能力。所以可将制冷系统的冷量快速传递给超导磁体、低温恒温器、温度传感器或其它需要快速获得低温的系统。

    尽管Apiezon N脂的绝对热导率比铟低,但是经过NASA Ames研究中心证实,同铟相比,Apiezon N脂使连接的金属接触面压紧后有效接触面积大大增加,导热能力更强,且无蔓延等现象。该脂能经受-273°C到30°C范围内的反复热冲击,是低温变温实验的理想选择。该脂磁化率极低,非常适合超导磁体制造领域。

    Apiezon N脂使用简单、性价比高,液氦温度下可显著提高热传导,广泛应用于磁共振成像的超导磁体、低温恒温器等制造领域。

     

    固定传感器:

    Apiezon N脂用来固定传感器非常理想,尤其适合于将传感器固定在小孔里,而且在室温下操作简单,在低温下凝固,从而保证传感器容易去除且不会被损坏。

     

    固定样品:

    半导体芯片、激光二极管和晶体等低温测试非常重要,可提高样品和样品舟之间或样品舟与低温恒温器冷指间的热传导能力,使样品达到尽可能低的温度,提高了样品测试灵敏度。该脂紫外照射下会发射荧光,光学测试时可用样品盖住该脂或采用校准等办法来消除荧光的影响。

     

    低温真空密封:

    Apiezon N脂室温下饱和蒸汽压极低,为6×10-10torr@20℃,且温度越低,饱和蒸汽压越低(由饱和蒸汽压与温度特性曲线外推可知)。该脂低温下不会开裂,即使经受反复热冲击仍能保持长期有效的密封,广泛应用于真空密封领域:如真空管线、冷阱、电子显微镜的光学接口、活塞、毛玻璃接头、低温阀门、Schlenk管线和液氦柔性管线的密封,将其涂在O圈表面可改善O圈低温下的密封效果。

     

    减震作用:

     Apiezon N真空脂含有一种特殊的添加剂,使之具有类似橡胶的粘稠度,可吸收设备的振动。Apiezon N脂的这种减振作用对易碎的玻璃接头(如滴管的阀门)有着很好的保护作用。

     

    无迁移:

    硅类脂会在样品表面发生蔓延,造成样品污染或光学表面失去光泽;而Apiezon N脂是烃类脂不存在上述问题。

     

    容易清除:

    使用碳氢化合物或氯化溶剂即可清除。

            

               

    Apiezon N脂饱和蒸汽压和工作温度的关系

    真空油脂

     

    英国阿佩佐(阿皮松)Apiezon N型低温真空油脂产品特点:

      

    的典型特点

    滴点-ASTM.D 566-02(°C)

    42-52

    典型工作温度范围(°C)

    -269~30

    饱和蒸汽压@20°C(Torr)

    6E-10

    相对密度@20°C

    0.911

    抗辐射性

    不推荐

    释气特性

    ASTM.E 595-93(2003)e1

    TML(总质量损失)

    <1%

    CVCM(聚集挥发凝结物)

    <0.1%

    对4球润滑测试-ASTM.D 2596-97(2002)e1(kg)

    150

    膨胀系数(20°C到-30°C)

    0.00072

    热导率

    @20°C(w/m °C)

    0.194

    @-269°C(w/m °C)

    0.095

    体电阻(Ω·cm)

    2E16

    介电常数

    2.3

    介质损耗

    <0.0001

    表面击穿电压(KV)

    27

    电场强度(V/mil)

     

     

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